SIR182DP-T1-RE3

Tillverkarens artikelnummer:	SIR182DP-T1-RE3
Tillverkare:	Vishay / Siliconix
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Datablad:	SIR182DP-T1-RE3 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Vishay / Siliconix SIR182DP-T1-RE3 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	TrenchFET® Gen IV
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3250 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	69.4W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	PowerPAK® SO-8
Förpackning / fodral	PowerPAK® SO-8

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 3712

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

Denna artikel har lagts till i din varukorg.