Microsemi / 2N6849
Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
2N6849
| Tillverkarens artikelnummer: | 2N6849 |
| Tillverkare: | Microsemi |
| Del av beskrivning: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| Datablad: | 2N6849 Datablad |
| Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
| Lagerskick: | I lager |
| Skicka från: | Hong Kong |
| Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMÄRKNING
- Microsemi 2N6849 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.
Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.
Specifikation
| Typ | Beskrivning |
|---|---|
| Serier | - |
| Paket | Bulk |
| Delstatus | Obsolete |
| FET-typ | P-Channel |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dränera till källspänning (Vdss) | 100 V |
| Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-funktion | - |
| Effektförlust (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Arbetstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp | Through Hole |
| Leverantörens enhetspaket | TO-39 |
| Förpackning / fodral | TO-205AF Metal Can |
Lagerstatus: Leverans samma dag
Minimum: 1
| Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
|---|---|---|
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
||
Fraktberäkning
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat
Tillagd i varukorgen!
Denna artikel har lagts till i din varukorg.