CSD13303W1015

Tillverkarens artikelnummer:	CSD13303W1015
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Datablad:	CSD13303W1015 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics CSD13303W1015 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	NexFET™
Paket	Bulk
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	12 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	31A (Ta)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	715 pF @ 6 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1.65W (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	6-DSBGA
Förpackning / fodral	6-UFBGA, DSBGA

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 165000

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

Denna artikel har lagts till i din varukorg.