FQPF20N06

Tillverkarens artikelnummer:	FQPF20N06
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Datablad:	FQPF20N06 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics FQPF20N06 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	QFET®
Paket	Bulk
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	15A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	590 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	30W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	TO-220F
Förpackning / fodral	TO-220-3 Full Pack

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 687

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	FQPF14N15 Rochester Electronics
	FQPF3N80CYDTU Rochester Electronics
	FQPF3N90 Rochester Electronics
	FQPF13N50CT Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQPF3N80C Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQPF5N50 Rochester Electronics
	FQPF20N06 Rochester Electronics
	FQPF4N80 Rochester Electronics
	FQPF5N50CFTU Rochester Electronics
	FQPF30N06L Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Denna artikel har lagts till i din varukorg.