Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
Tillverkarens artikelnummer: | NTMS5P02R2SG |
Tillverkare: | Rochester Electronics |
Del av beskrivning: | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC |
Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Lagerskick: | I lager |
Skicka från: | Hong Kong |
Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beskrivning |
---|---|
Serier | - |
Paket | Bulk |
Delstatus | Obsolete |
FET-typ | P-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Dränera till källspänning (Vdss) | 20 V |
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 3.95A (Ta) |
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±10V |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1.9 pF @ 16 V |
FET-funktion | - |
Effektförlust (max) | 790mW (Ta) |
Arbetstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp | Surface Mount |
Leverantörens enhetspaket | 8-SOIC |
Förpackning / fodral | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lagerstatus: 7125
Minimum: 1
Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
---|---|---|
![]() Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat