IPB35N10S3L26ATMA1

Tillverkarens artikelnummer:	IPB35N10S3L26ATMA1
Tillverkare:	IR (Infineon Technologies)
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Datablad:	IPB35N10S3L26ATMA1 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: IR (Infineon Technologies) IPB35N10S3L26ATMA1 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	71W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	D²PAK (TO-263AB)
Förpackning / fodral	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: Leverans samma dag

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	IPB35N10S3L26ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB320N20N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB34CN10NGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB35N12S3L26ATMA1 Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.