BSZ130N03MSG

Tillverkarens artikelnummer:	BSZ130N03MSG
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Datablad:	BSZ130N03MSG Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics BSZ130N03MSG finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	*
Paket	Bulk
Delstatus	Active
FET-typ	-
Teknologi	-
Dränera till källspänning (Vdss)	-
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	-
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	-
Arbetstemperatur	-
Monteringstyp	-
Leverantörens enhetspaket	-
Förpackning / fodral	-

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 45800

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	BSZ130N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ120P03NS3EGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ130N03MSG Rochester Electronics
	BSZ110N06NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ16DN25NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ105N04NSGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ160N10NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ12DN20NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ180P03NS3EGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Denna artikel har lagts till i din varukorg.