IGT60R190D1SATMA1

Tillverkarens artikelnummer:	IGT60R190D1SATMA1
Tillverkare:	IR (Infineon Technologies)
Del av beskrivning:	GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Datablad:	IGT60R190D1SATMA1 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: IR (Infineon Technologies) IGT60R190D1SATMA1 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	CoolGaN™
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till källspänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	12.5A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	157 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	55.5W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	PG-HSOF-8-3
Förpackning / fodral	8-PowerSFN

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 50

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	IGT60R190D1SATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IGT60R070D1ATMA1 IR (Infineon Technologies)

Denna artikel har lagts till i din varukorg.