EPC2012C

Tillverkarens artikelnummer:	EPC2012C
Tillverkare:	EPC
Del av beskrivning:	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Datablad:	EPC2012C Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: EPC EPC2012C finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	eGaN®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till källspänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.3 nC @ 5 V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	140 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	-
Arbetstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	Die Outline (4-Solder Bar)
Förpackning / fodral	Die

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 29227

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

Denna artikel har lagts till i din varukorg.