GeneSiC Semiconductor / GA20JT12-247
Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
GA20JT12-247
| Tillverkarens artikelnummer: | GA20JT12-247 |
| Tillverkare: | GeneSiC Semiconductor |
| Del av beskrivning: | TRANS SJT 1200V 20A TO247AB |
| Datablad: | GA20JT12-247 Datablad |
| Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
| Lagerskick: | I lager |
| Skicka från: | Hong Kong |
| Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMÄRKNING
- GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.
Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.
Specifikation
| Typ | Beskrivning |
|---|---|
| Serier | - |
| Paket | Tube |
| Delstatus | Obsolete |
| FET-typ | - |
| Teknologi | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Dränera till källspänning (Vdss) | 1200 V |
| Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 20A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-funktion | - |
| Effektförlust (max) | 282W (Tc) |
| Arbetstemperatur | 175°C (TJ) |
| Monteringstyp | Through Hole |
| Leverantörens enhetspaket | TO-247AB |
| Förpackning / fodral | TO-247-3 |
Lagerstatus: Leverans samma dag
Minimum: 1
| Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
|---|---|---|
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
||
Fraktberäkning
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat
Populära modeller
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
Tillagd i varukorgen!
Denna artikel har lagts till i din varukorg.