Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
Tillverkarens artikelnummer: | IPI020N06NAKSA1 |
Tillverkare: | Rochester Electronics |
Del av beskrivning: | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
Datablad: | IPI020N06NAKSA1 Datablad |
Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Lagerskick: | I lager |
Skicka från: | Hong Kong |
Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beskrivning |
---|---|
Serier | OptiMOS™ |
Paket | Bulk |
Delstatus | Active |
FET-typ | N-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Dränera till källspänning (Vdss) | 60 V |
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 120A (Tc) |
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 143µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8 pF @ 30 V |
FET-funktion | - |
Effektförlust (max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
Arbetstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstyp | Through Hole |
Leverantörens enhetspaket | PG-TO262-3-1 |
Förpackning / fodral | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Lagerstatus: 20420
Minimum: 1
Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
---|---|---|
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat