IRL40S212

Tillverkarens artikelnummer:	IRL40S212
Tillverkare:	IR (Infineon Technologies)
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Datablad:	IRL40S212 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: IR (Infineon Technologies) IRL40S212 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	StrongIRFET™
Paket	Tube
Delstatus	Last Time Buy
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	195A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	137 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	8320 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	231W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	D2PAK
Förpackning / fodral	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: Leverans samma dag

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	IRL40SC228 IR (Infineon Technologies)
	IRL40T209ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IRL40S212 IR (Infineon Technologies)
	IRL40B212 IR (Infineon Technologies)
	IRL40B215 IR (Infineon Technologies)
	IRL40B209 IR (Infineon Technologies)
	IRL40SC209 IR (Infineon Technologies)
	IRL40S212ARMA1 IR (Infineon Technologies)

Denna artikel har lagts till i din varukorg.