BUZ31L

Tillverkarens artikelnummer:	BUZ31L
Tillverkare:	IR (Infineon Technologies)
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Datablad:	BUZ31L Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: IR (Infineon Technologies) BUZ31L finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	SIPMOS®
Paket	Tube
Delstatus	Obsolete
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	13.5A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	95W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	PG-TO220-3
Förpackning / fodral	TO-220-3

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: Leverans samma dag

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	BUZ30AH3045A Rochester Electronics
	BUZ31L H IR (Infineon Technologies)
	BUZ31L IR (Infineon Technologies)
	BUZ30AHXKSA1 Rochester Electronics
	BUZ30A IR (Infineon Technologies)
	BUZ31H3046XKSA1 Rochester Electronics
	BUZ30A E3045A IR (Infineon Technologies)
	BUZ30AH3045AATMA1 Rochester Electronics
	BUZ32 E3045A IR (Infineon Technologies)
	BUZ31HXKSA1 Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.