Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
Tillverkarens artikelnummer: | SIB452DK-T1-GE3 |
Tillverkare: | Vishay / Siliconix |
Del av beskrivning: | MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75 |
Datablad: | SIB452DK-T1-GE3 Datablad |
Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Lagerskick: | I lager |
Skicka från: | Hong Kong |
Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beskrivning |
---|---|
Serier | TrenchFET® |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Delstatus | Active |
FET-typ | N-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Dränera till källspänning (Vdss) | 190 V |
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) |
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±16V |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 50 V |
FET-funktion | - |
Effektförlust (max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Arbetstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp | Surface Mount |
Leverantörens enhetspaket | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Förpackning / fodral | PowerPAK® SC-75-6L |
Lagerstatus: 418
Minimum: 1
Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
---|---|---|
![]() Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat