BSB280N15NZ3GXUMA1

Tillverkarens artikelnummer:	BSB280N15NZ3GXUMA1
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Datablad:	BSB280N15NZ3GXUMA1 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics BSB280N15NZ3GXUMA1 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	OptiMOS™
Paket	Bulk
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	150 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 30A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1.6 pF @ 75 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Förpackning / fodral	3-WDSON

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 9080

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	BSB280N15NZ3GXUMA1 Rochester Electronics
	BSB280N15NZ3G Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.