SIS612EDNT-T1-GE3

Tillverkarens artikelnummer:	SIS612EDNT-T1-GE3
Tillverkare:	Vishay / Siliconix
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
Datablad:	SIS612EDNT-T1-GE3 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Vishay / Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Delstatus	Obsolete
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2060 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Förpackning / fodral	PowerPAK® 1212-8S

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: Leverans samma dag

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SIS698DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SIS606BDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SIS626DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Denna artikel har lagts till i din varukorg.