ROHM Semiconductor / RUU002N05T106
Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
RUU002N05T106
| Tillverkarens artikelnummer: | RUU002N05T106 |
| Tillverkare: | ROHM Semiconductor |
| Del av beskrivning: | MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3 |
| Datablad: | RUU002N05T106 Datablad |
| Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
| Lagerskick: | I lager |
| Skicka från: | Hong Kong |
| Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMÄRKNING
- ROHM Semiconductor RUU002N05T106 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.
Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.
Specifikation
| Typ | Beskrivning |
|---|---|
| Serier | - |
| Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Delstatus | Not For New Designs |
| FET-typ | N-Channel |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dränera till källspänning (Vdss) | 50 V |
| Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| FET-funktion | - |
| Effektförlust (max) | 200mW (Ta) |
| Arbetstemperatur | 150°C (TJ) |
| Monteringstyp | Surface Mount |
| Leverantörens enhetspaket | UMT3 |
| Förpackning / fodral | SC-70, SOT-323 |
Lagerstatus: 2900
Minimum: 1
| Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
|---|---|---|
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
||
Fraktberäkning
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat
Populära modeller
 |
ROHM Semiconductor |
Tillagd i varukorgen!
Denna artikel har lagts till i din varukorg.