SIHA11N80E-GE3

Tillverkarens artikelnummer:	SIHA11N80E-GE3
Tillverkare:	Vishay / Siliconix
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Datablad:	SIHA11N80E-GE3 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Vishay / Siliconix SIHA11N80E-GE3 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	E
Paket	Tube
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	800 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	34W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	TO-220 Full Pack
Förpackning / fodral	TO-220-3 Full Pack

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 884

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

Denna artikel har lagts till i din varukorg.