FDZ209N

Tillverkarens artikelnummer:	FDZ209N
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
Datablad:	FDZ209N Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics FDZ209N finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	PowerTrench®
Paket	Bulk
Delstatus	Obsolete
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	657 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2W (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	12-BGA (2x2.5)
Förpackning / fodral	12-WFBGA

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 20644

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	FDZ202P Rochester Electronics
	FDZ291P Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDZ204P Rochester Electronics
	FDZ209N Rochester Electronics
	FDZ293P Rochester Electronics
	FDZ208P Rochester Electronics
	FDZ206P Rochester Electronics
	FDZ299P Rochester Electronics
	FDZ294N Rochester Electronics
	FDZ203N Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Denna artikel har lagts till i din varukorg.