SCTWA50N120

Tillverkarens artikelnummer:	SCTWA50N120
Tillverkare:	STMicroelectronics
Del av beskrivning:	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Datablad:	SCTWA50N120 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: STMicroelectronics SCTWA50N120 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Tube
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	SiCFET (Silicon Carbide)
Dränera till källspänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	318W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 200°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	HiP247™
Förpackning / fodral	TO-247-3

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 1240

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	SCTWA30N120 STMicroelectronics
	SCTWA10N120 STMicroelectronics
	SCTW90N65G2V STMicroelectronics
	SCTWA35N65G2VAG STMicroelectronics
	SCTWA20N120 STMicroelectronics
	SCTW70N120G2V STMicroelectronics
	SCTWA50N120 STMicroelectronics
	SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics
	SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics
	SCTW100N65G2AG STMicroelectronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.