FDU8780

Tillverkarens artikelnummer:	FDU8780
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Datablad:	FDU8780 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics FDU8780 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	PowerTrench®
Paket	Tube
Delstatus	Obsolete
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	25 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1.44 pF @ 13 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	50W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	I-PAK
Förpackning / fodral	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 81309

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	FDU8870 Rochester Electronics
	FDU8580 Rochester Electronics
	FDU8876 Rochester Electronics
	FDU8586 Rochester Electronics
	FDU8780_F071 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDU8882 Rochester Electronics
	FDU8880 Rochester Electronics
	FDU8780 Rochester Electronics
	FDU8782 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDU8770_F071 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Denna artikel har lagts till i din varukorg.