R8005ANX

Tillverkarens artikelnummer:	R8005ANX
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Datablad:	R8005ANX Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: ROHM Semiconductor R8005ANX finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Bulk
Delstatus	Not For New Designs
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	800 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	485 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	40W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	TO-220FM
Förpackning / fodral	TO-220-3 Full Pack

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 443

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	R8002ANJFRGTL ROHM Semiconductor
	R8005ANX ROHM Semiconductor
	R8002ANX ROHM Semiconductor
	R8008ANJFRGTL ROHM Semiconductor
	R8008ANX ROHM Semiconductor
	R8005ANJFRGTL ROHM Semiconductor
	R8007AND3FRATL ROHM Semiconductor
	R8001CND3FRATL ROHM Semiconductor
	R8002CND3FRATL ROHM Semiconductor

Denna artikel har lagts till i din varukorg.