BSC884N03MSG

Tillverkarens artikelnummer:	BSC884N03MSG
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	N-CHANNEL POWER MOSFET
Datablad:	BSC884N03MSG Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics BSC884N03MSG finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	*
Paket	Bulk
Delstatus	Active
FET-typ	-
Teknologi	-
Dränera till källspänning (Vdss)	-
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	-
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	-
Arbetstemperatur	-
Monteringstyp	-
Leverantörens enhetspaket	-
Förpackning / fodral	-

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 14949

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	BSC886N03LSG Rochester Electronics
	BSC883N03MSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC882N03MSG Rochester Electronics
	BSC882N03MSGATMA1 Rochester Electronics
	BSC883N03MSG Rochester Electronics
	BSC889N03MSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC886N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC884N03MSG Rochester Electronics
	BSC882N03LSGATMA1 Rochester Electronics
	BSC883N03LSGATMA1 Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.