ISP25DP06LMXTSA1

Tillverkarens artikelnummer:	ISP25DP06LMXTSA1
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Datablad:	ISP25DP06LMXTSA1 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics ISP25DP06LMXTSA1 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	OptiMOS™
Paket	Bulk
Delstatus	Active
FET-typ	P-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	1.9A (Ta)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1.8W (Ta), 5W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	PG-SOT223-4
Förpackning / fodral	TO-261-4, TO-261AA

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 2000

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	ISP26DP06NMSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	ISP25DP06NMXTSA1 IR (Infineon Technologies)
	ISP25DP06LMXTSA1 Rochester Electronics
	ISP25DP06LMSATMA1 IR (Infineon Technologies)

Denna artikel har lagts till i din varukorg.