GeneSiC Semiconductor / G3R75MT12D
Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
G3R75MT12D
| Tillverkarens artikelnummer: | G3R75MT12D |
| Tillverkare: | GeneSiC Semiconductor |
| Del av beskrivning: | SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3 |
| Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
| Lagerskick: | I lager |
| Skicka från: | Hong Kong |
| Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMÄRKNING
- GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.
Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.
Specifikation
| Typ | Beskrivning |
|---|---|
| Serier | G3R™ |
| Paket | Tube |
| Delstatus | Active |
| FET-typ | N-Channel |
| Teknologi | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Dränera till källspänning (Vdss) | 1200 V |
| Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
| Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.69V @ 7.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 15 V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1560 pF @ 800 V |
| FET-funktion | - |
| Effektförlust (max) | 207W (Tc) |
| Arbetstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstyp | Through Hole |
| Leverantörens enhetspaket | TO-247-3 |
| Förpackning / fodral | TO-247-3 |
Lagerstatus: 529
Minimum: 1
| Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
|---|---|---|
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
||
Fraktberäkning
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat
Populära modeller
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
Tillagd i varukorgen!
Denna artikel har lagts till i din varukorg.