SPW52N50C3FKSA1

Tillverkarens artikelnummer:	SPW52N50C3FKSA1
Tillverkare:	IR (Infineon Technologies)
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 560V 52A TO247-3
Datablad:	SPW52N50C3FKSA1 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: IR (Infineon Technologies) SPW52N50C3FKSA1 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	CoolMOS™
Paket	Tube
Delstatus	Obsolete
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	560 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	52A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	290 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6800 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	417W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	PG-TO247-3
Förpackning / fodral	TO-247-3

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: Leverans samma dag

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	SPW55N80C3FKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPW52N50C3FKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPW52N50C3XK Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.