RQ3E080BNTB

Tillverkarens artikelnummer:	RQ3E080BNTB
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Datablad:	RQ3E080BNTB Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: ROHM Semiconductor RQ3E080BNTB finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	660 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2W (Ta)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	8-HSMT (3.2x3)
Förpackning / fodral	8-PowerVDFN

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 1208

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

Denna artikel har lagts till i din varukorg.