BSZ440N10NS3GATMA1

Tillverkarens artikelnummer:	BSZ440N10NS3GATMA1
Tillverkare:	IR (Infineon Technologies)
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Datablad:	BSZ440N10NS3GATMA1 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: IR (Infineon Technologies) BSZ440N10NS3GATMA1 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	OptiMOS™
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	5.3A (Ta), 18A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	640 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	29W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	PG-TSDSON-8
Förpackning / fodral	8-PowerTDFN

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 77766

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	BSZ42DN25NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ440N10NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)

Denna artikel har lagts till i din varukorg.