TK1K9A60F,S4X

Tillverkarens artikelnummer:	TK1K9A60F,S4X
Tillverkare:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Datablad:	TK1K9A60F,S4X Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK1K9A60F,S4X finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	U-MOSIX
Paket	Tube
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 300 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	30W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	TO-220SIS
Förpackning / fodral	TO-220-3 Full Pack

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 236

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	TK1K2A60F,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK1K9A60F,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK1K7A60F,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK1K0A60F,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Denna artikel har lagts till i din varukorg.