SIS888DN-T1-GE3

Tillverkarens artikelnummer:	SIS888DN-T1-GE3
Tillverkare:	Vishay / Siliconix
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Datablad:	SIS888DN-T1-GE3 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Vishay / Siliconix SIS888DN-T1-GE3 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	ThunderFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	150 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	20.2A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 75 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	52W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TA)
Monteringstyp	Surface Mount
Leverantörens enhetspaket	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Förpackning / fodral	PowerPAK® 1212-8S

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 3097

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

Denna artikel har lagts till i din varukorg.