2SJ542-E

Tillverkarens artikelnummer:	2SJ542-E
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	MOSFET N-CH 60V 18A TO220AB
Datablad:	2SJ542-E Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics 2SJ542-E finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Bulk
Delstatus	Active
FET-typ	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Dränera till källspänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	18A (Ta)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	60W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	TO-220AB
Förpackning / fodral	TO-220-3

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 1523

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	2SJ546-E Rochester Electronics
	2SJ557-T1B-A Rochester Electronics
	2SJ583LS Rochester Electronics
	2SJ545-E Rochester Electronics
	2SJ542-E Rochester Electronics
	2SJ559(0)-T1-A Rochester Electronics
	2SJ529-91L-E Rochester Electronics
	2SJ598(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America
	2SJ599(0)-ZK-E1-AY Renesas Electronics America
	2SJ586CPTL-E Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.