FGB5N60UNDF

Tillverkarens artikelnummer:	FGB5N60UNDF
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Datablad:	FGB5N60UNDF Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics FGB5N60UNDF finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Bulk
Delstatus	Active
IGBT-typ	NPT
Spänning - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Ström - Samlare (Ic) (max)	10 A
Ström - Collector Pulsed (Icm)	15 A
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 5A
Effekt - Max	73.5 W
Byt energi	80µJ (on), 70µJ (off)
Ingångstyp	Standard
Portavgift	12.1 nC
Td (på / av) @ 25 ° C	5.4ns/25.4ns
Testvillkor	400V, 5A, 10Ohm, 15V
Omvänd återhämtningstid (trr)	35 ns
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Förpackning / fodral	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörens enhetspaket	TO-263AB (D²PAK)

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 73530

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	FGB5N60UNDF Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.