STGYA120M65DF2

Tillverkarens artikelnummer:	STGYA120M65DF2
Tillverkare:	STMicroelectronics
Del av beskrivning:	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Datablad:	STGYA120M65DF2 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: STMicroelectronics STGYA120M65DF2 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	M
Paket	Tube
Delstatus	Active
IGBT-typ	NPT, Trench Field Stop
Spänning - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Ström - Samlare (Ic) (max)	160 A
Ström - Collector Pulsed (Icm)	360 A
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic	1.95V @ 15V, 120A
Effekt - Max	625 W
Byt energi	1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Ingångstyp	Standard
Portavgift	420 nC
Td (på / av) @ 25 ° C	66ns/185ns
Testvillkor	400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Omvänd återhämtningstid (trr)	202 ns
Arbetstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Förpackning / fodral	TO-247-3 Exposed Pad
Leverantörens enhetspaket	MAX247™

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 587

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	STGYA120M65DF2 STMicroelectronics
	STGY50NC60WD STMicroelectronics
	STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics
	STGY40NC60VD STMicroelectronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.