NGB8207ABNT4G

Tillverkarens artikelnummer:	NGB8207ABNT4G
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Datablad:	NGB8207ABNT4G Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics NGB8207ABNT4G finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Bulk
Delstatus	Active
IGBT-typ	-
Spänning - Collector Emitter Breakdown (Max)	365 V
Ström - Samlare (Ic) (max)	20 A
Ström - Collector Pulsed (Icm)	50 A
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 3.7V, 10A
Effekt - Max	165 W
Byt energi	-
Ingångstyp	Logic
Portavgift	-
Td (på / av) @ 25 ° C	-
Testvillkor	-
Omvänd återhämtningstid (trr)	-
Arbetstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Förpackning / fodral	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörens enhetspaket	D2PAK

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 31696

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	NGB8207NT4G Rochester Electronics
	NGB8204ANT4G Rochester Electronics
	NGB8206NT4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NGB8206NSL3 Rochester Electronics
	NGB8207ABNT4G Rochester Electronics
	NGB8204NT4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NGB8207BNT4G Rochester Electronics
	NGB8202ANT4G Wickmann / Littelfuse
	NGB8206ANTF4G Rochester Electronics
	NGB8206NSL3G Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.