CSD85312Q3E

Tillverkarens artikelnummer:	CSD85312Q3E
Tillverkare:	Texas Instruments
Del av beskrivning:	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Datablad:	CSD85312Q3E Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Texas Instruments CSD85312Q3E finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	NexFET™
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Delstatus	Active
FET-typ	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-funktion	Logic Level Gate, 5V Drive
Dränera till källspänning (Vdss)	20V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 10V
Effekt - Max	2.5W
Arbetstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Surface Mount
Förpackning / fodral	8-PowerVDFN
Leverantörens enhetspaket	8-VSON (3.3x3.3)

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 3607

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

Denna artikel har lagts till i din varukorg.