Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
Tillverkarens artikelnummer: | IPG20N10S4L22ATMA1 |
Tillverkare: | IR (Infineon Technologies) |
Del av beskrivning: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
Datablad: | IPG20N10S4L22ATMA1 Datablad |
Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Lagerskick: | I lager |
Skicka från: | Hong Kong |
Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beskrivning |
---|---|
Serier | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Delstatus | Active |
FET-typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-funktion | Logic Level Gate |
Dränera till källspänning (Vdss) | 100V |
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1755pF @ 25V |
Effekt - Max | 60W |
Arbetstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstyp | Surface Mount |
Förpackning / fodral | 8-PowerVDFN |
Leverantörens enhetspaket | PG-TDSON-8-4 |
Lagerstatus: Leverans samma dag
Minimum: 1
Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
---|---|---|
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat