GA50JT06-258

Tillverkarens artikelnummer:	GA50JT06-258
Tillverkare:	GeneSiC Semiconductor
Del av beskrivning:	TRANS SJT 600V 100A TO258
Datablad:	GA50JT06-258 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Bulk
Delstatus	Active
FET-typ	-
Teknologi	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Dränera till källspänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	769W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C ~ 225°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Leverantörens enhetspaket	TO-258
Förpackning / fodral	TO-258-3, TO-258AA

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: Leverans samma dag

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

Denna artikel har lagts till i din varukorg.