TRS4E65F,S1Q

Tillverkarens artikelnummer:	TRS4E65F,S1Q
Tillverkare:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Del av beskrivning:	PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TRS4E65F,S1Q finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Tube
Delstatus	Active
Diodtyp	Silicon Carbide Schottky
Spänning - DC-omvänd (Vr) (max)	650 V
Ström - Genomsnitt korrigerad (Io)	4A (DC)
Spänning - framåt (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 4 A
Hastighet	No Recovery Time > 500mA (Io)
Omvänd återhämtningstid (trr)	0 ns
Ström - Omvänd läckage @ Vr	20 µA @ 650 V
Kapacitans @ Vr, F	16pF @ 650V, 1MHz
Monteringstyp	Through Hole
Förpackning / fodral	TO-220-2
Leverantörens enhetspaket	TO-220-2L
Driftstemperatur - korsning	175°C (Max)

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 190

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	TRS4A65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS4E65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Denna artikel har lagts till i din varukorg.