QJD1210SA1

Tillverkarens artikelnummer:	QJD1210SA1
Tillverkare:	Powerex, Inc.
Del av beskrivning:	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Datablad:	QJD1210SA1 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Powerex, Inc. QJD1210SA1 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Bulk
Delstatus	Obsolete
FET-typ	2 N-Channel (Dual)
FET-funktion	Standard
Dränera till källspänning (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C	100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 34mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	8200pF @ 10V
Effekt - Max	520W
Arbetstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Chassis Mount
Förpackning / fodral	Module
Leverantörens enhetspaket	Module

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: Leverans samma dag

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

Denna artikel har lagts till i din varukorg.