FPF2C110BI07AS2

Tillverkarens artikelnummer:	FPF2C110BI07AS2
Tillverkare:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Del av beskrivning:	IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Datablad:	FPF2C110BI07AS2 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FPF2C110BI07AS2 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Tray
Delstatus	Active
IGBT-typ	-
Konfiguration	Half Bridge
Spänning - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Ström - Samlare (Ic) (max)	40 A
Effekt - Max	300 W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 40A
Ström - Collector Cutoff (Max)	250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	-
Inmatning	Standard
NTC-termistor	Yes
Arbetstemperatur	-40°C ~ 150°C
Monteringstyp	Through Hole
Förpackning / fodral	30-DIP Module
Leverantörens enhetspaket	F2

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: Leverans samma dag

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	FPF2G120BF07AS Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FPF2C110BI07AS2 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FPF2G120BF07ASP Rochester Electronics
	FPF2C8P2NL07A Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.