F475R07W2H3B51BOMA1

Tillverkarens artikelnummer:	F475R07W2H3B51BOMA1
Tillverkare:	Rochester Electronics
Del av beskrivning:	IGBT, 75A, 650V, N-CHANNEL
Datablad:	F475R07W2H3B51BOMA1 Datablad
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagerskick:	I lager
Skicka från:	Hong Kong
Sändningssätt:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMÄRKNING: Rochester Electronics F475R07W2H3B51BOMA1 finns på chipnets.com. Vi säljer endast nya och originaldelar och erbjuder 1 års garantitid. Om du vill veta mer om produkterna eller ansöka om ett bättre pris, vänligen kontakta oss klicka på onlinechatten eller skicka en offert till oss.

Alla Eelctronics-komponenter kommer att packas in mycket säkert med antistatiskt ESD-skydd.

package

Specifikation

Typ	Beskrivning
Serier	-
Paket	Tray
Delstatus	Obsolete
IGBT-typ	-
Konfiguration	Full Bridge Inverter
Spänning - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Ström - Samlare (Ic) (max)	75 A
Effekt - Max	520 W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic	1.55V @ 15V, 37.5A
Ström - Collector Cutoff (Max)	1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	4.7 nF @ 25 V
Inmatning	Standard
NTC-termistor	Yes
Arbetstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp	Chassis Mount
Förpackning / fodral	Module
Leverantörens enhetspaket	Module

KÖPALTERNATIV

Lagerstatus: 180

Minimum: 1

Kvantitet	Enhetspris	Ext. Pris
Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök

Fraktberäkning

US $40 av FedEx.

Anländer om 3-5 dagar

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat

Populära modeller

	F475R07W1H3B11ABOMA1 Rochester Electronics
	F475R06W1E3BOMA1 IR (Infineon Technologies)
	F475R12KS4B11BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	F475R07W2H3B51BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	F475R07W2H3B51BOMA1 Rochester Electronics

Denna artikel har lagts till i din varukorg.