Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
Tillverkarens artikelnummer: | SISHA14DN-T1-GE3 |
Tillverkare: | Vishay / Siliconix |
Del av beskrivning: | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK |
Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Lagerskick: | I lager |
Skicka från: | Hong Kong |
Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beskrivning |
---|---|
Serier | TrenchFET® Gen IV |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Delstatus | Active |
FET-typ | N-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Dränera till källspänning (Vdss) | 30 V |
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 19.7A (Ta), 20A (Tc) |
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 15 V |
FET-funktion | - |
Effektförlust (max) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
Arbetstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp | Surface Mount |
Leverantörens enhetspaket | PowerPAK® 1212-8SH |
Förpackning / fodral | PowerPAK® 1212-8SH |
Lagerstatus: 5786
Minimum: 1
Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
---|---|---|
![]() Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat