Bilden är för referens, kontakta oss för att få den verkliga bilden
Tillverkarens artikelnummer: | SISH615ADN-T1-GE3 |
Tillverkare: | Vishay / Siliconix |
Del av beskrivning: | MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK |
Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Lagerskick: | I lager |
Skicka från: | Hong Kong |
Sändningssätt: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beskrivning |
---|---|
Serier | TrenchFET® Gen III |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Delstatus | Active |
FET-typ | P-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Dränera till källspänning (Vdss) | 20 V |
Ström - kontinuerligt dränering (Id) @ 25 ° C | 22.1A (Ta), 35A (Tc) |
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±12V |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 5590 pF @ 10 V |
FET-funktion | - |
Effektförlust (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Arbetstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp | Surface Mount |
Leverantörens enhetspaket | PowerPAK® 1212-8SH |
Förpackning / fodral | PowerPAK® 1212-8SH |
Lagerstatus: 8005
Minimum: 1
Kvantitet | Enhetspris | Ext. Pris |
---|---|---|
![]() Priset är inte tillgängligt, vänligen ansök |
US $40 av FedEx.
Anländer om 3-5 dagar
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Fri frakt på första 0,5 kg för beställningar över 150 $, övervikt debiteras separat